发布时间:2025-11-07

本次的样品为硅薄片,分别是Si一片,SiC三片

本次测试采用高光谱颜色测量设备进行测量
高光谱相机覆盖900~1700nm波长范围
采用线性推扫成像方案
照明光源采用卤素光源
将样品放置传送带上
高光谱图像

高光谱曲线
晶圆的反射率曲线如右图所示:
Si在1200nm-1600nm之间,反射率基本上在0.6左右
SiC在1200nm-1600nm之间,反射率基本上在0.1左右

结论:Si与SiC的反射率存在明显的差异
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